国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“一种半导体结构的刻蚀方法”的专利，公开号CN121398475A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的刻蚀方法，该半导体结构的刻蚀方法包括提供一半导体基底，于半导体基底上依次形成氧化硅层、氮化硅层及光刻胶层，并在光刻胶层上形成光刻胶开口。基于光刻胶开口采用由氢氟烃、氧气及氩气形成的混合气体刻蚀氮化硅层，在刻蚀过程中，反应腔室内分解的H与F的质量分数比为1：15~1：20，C的质量分数介于所述H的质量分数与F的质量分数之间，使氮化硅与氧化硅的选择刻蚀比介于8:1~9:1，以获得氮化硅开口。通过上述方案，本发明能够在保护下层氧化硅的同时，对氮化硅进行高速率刻蚀，实现氮化硅与氧化硅的选择刻蚀比介于8:1~9:1，并形成较好的刻蚀形貌。

天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本52199.9997万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息136条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员