国家知识产权局信息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“一种晶圆SiO₂背膜残胶的去除方法”的专利，公开号CN121398485A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆SiO₂背膜残胶的去除方法，涉及计算机技术领域，一种晶圆SiO₂背膜残胶的去除方法包括以下步骤：步骤一：残胶晶圆筛选；步骤二：清洗液制备；步骤三：残胶清洗处理；步骤四：清洗后漂洗；步骤五：干燥与良品筛选。本发明通过构建初步视觉扫描和重点区域复核的双重残胶筛选模式，搭配高分辨率工业检测相机、环形补光光源及20‑40倍光学放大镜复核，结合Class100无尘操作环境，将待处理晶圆残胶筛选准确率提升至不低于99%，有效解决了传统筛选中易出现的误判、漏判问题，从源头确保后续残胶处理对象精准，避免无效加工损耗。

天眼查资料显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息271条，此外企业还拥有行政许可77个。

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作者：情报员