国家知识产权局信息显示，中电科技德清华莹电子有限公司申请一项名为“一种含背孔的玻璃基异质集成结构及制作方法”的专利，公开号CN121398445A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种含背孔的玻璃基异质集成结构及制作方法，在异质集成晶圆上设计背孔；异质集成晶圆包括玻璃基衬底和压电晶体层，或在玻璃基衬底与压电晶体层之间键合至少一层异质薄膜层；背孔为盲孔或/和通孔，盲孔刻蚀触达压电晶体层或任一异质薄膜层；背孔内溅射有填充金属。正面压电晶体层未刻蚀前，在含背孔的玻璃基异质集成晶圆的完整表面可制作声表面波滤波器图案；刻蚀压电晶体层后，在玻璃基异质集成晶圆表面露出填充金属底部，再通过光刻、蒸发或溅射、电镀等方式实现声表面波滤波器和填充金属互联，盲孔能排成折绕式电感，通过通孔连接至正面器件层。发明具备器件散热性更好，封装设计量产性更佳、集成度更高，器件Q值更高等特点。

天眼查资料显示，中电科技德清华莹电子有限公司，成立于1997年，位于湖州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本44807.922249万人民币。通过天眼查大数据分析，中电科技德清华莹电子有限公司参与招投标项目431次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息156条，此外企业还拥有行政许可15个。

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作者：情报员