SK海力士发布截至2025年12月31日的2025财年及第四季度财务报告，2025财年全年营收为97.1467万亿韩元（约合681.6亿美元），营业利润为47.2063万亿韩元（约合311.2亿美元）（营业利润率为49%），净利润为42.9479万亿韩元（约合301.3亿美元）（净利润率为44%），远超2024年创下的历史最高纪录。营收同比增长逾30万亿韩元，营业利润实现翻倍增长，创下历史最高年度业绩纪录。
其中，2025年第四季度营收为32.8267万亿韩元（约合230.3亿美元），环比增长34%，同比增长66%；营业利润为19.1696万亿韩元（约合134.5亿美元），环比增长68%，同比增长137%；营业利润率达58%，三项指标均刷新历史纪录；净利润15.2460万亿韩元（约合107亿美元），环比增长21%，同比增长90%。SK海力士表示，创下此佳绩主要得益于HBM需求旺盛，以及面向服务器的通用存储芯片需求也大幅增加。
数据来源：SK海力士，图表制作：CFM闪存市场
细分业务
-DRAM
2025年，SK海力士HBM销售额同比增长逾一倍，成为创下历史最高业绩的核心动力。通用DRAM方面，SK海力士已正式量产第六代10纳米级（1c）DDR5 DRAM，并成功开发基于第五代10纳米级（1b）32Gb单片的业界最高容量256GB服务器DDR5 RDIMM模块，进一步巩固在服务器模块市场的领导地位。
-NAND
2025年上半年，SK海力士已顺利完成321层QLC产品研发，下半年通过积极因应企业级固态硬盘为主的需求，创下了年度销售额历史新高。
SK海力士预计，随着AI市场从训练向推理转型，分布式架构的需求将持续扩大，存储芯片的重要性也将进一步凸显。不仅HBM等高性能存储芯片需求增长，面向服务器DRAM、NAND等整体需求也将同步扩大。
技术创新
自去年9月全球率先构建HBM4量产体系后，目前SK海力士正在量产客户所要求的产量。SK海力士将通过HBM4产品巩固市场地位，并深化与客户及合作伙伴的协作体系，为“定制化HBM（Custom HBM）”这一新一代核心竞争要素做好充分准备，提供最佳的产品解决方案。
在通用DRAM方面，计划将加速推进1c工艺转换，扩大面向AI的SOCAMM2、GDDR7等产品组合的销售。在NAND闪存方面，将通过转向321层堆叠技术实现产品竞争力最大化，同时利用Solidigm的QLC企业级固态硬盘，积极满足面向AI数据中心的存储需求。
投资进展
SK海力士表示将优先保障客户需求，致力于深化合作关系。为此，SK海力士将提前实现韩国清州M15X工厂产能最大化，并通过建设韩国龙仁集群首座工厂（Fab），中长期稳步扩充生产基础设施。
同时，SK海力士也将顺利推进韩国清州P&T7工厂和美国印第安纳州先进封装（Advanced Packaging）工厂，构建融合前端与后端工艺的全球一体化制造能力，灵活应对客户需求的变化。
SK海力士Corporate Center负责人宋炫宗社长表示：“公司将依托差异化技术竞争力，在实现可持续业绩增长的同时，保持未来投资、财务稳健性与股东回报之间的最佳平衡。将超越传统的产品供应商角色，致力于满足客户对AI性能的需求，进一步巩固作为AI时代核心基础设施合作伙伴的地位”。
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