国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“薄管芯结构的预组装翘曲补偿”的专利，公开号CN121420690A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，集成电路（IC）管芯结构的表面和IC管芯结构将要键合到的衬底包括双亲性区域，该双亲性区域适合于液滴形成和IC管芯结构与衬底的基于液滴的精细对准。为了确保IC管芯结构的翘曲不干扰基于液滴的精细对准工艺，更大厚度的IC管芯结构与衬底对准，并且随后减小IC管芯结构的厚度。在一些实施例中，IC管芯结构的背侧在附接之后被抛光。在一些可选实施例中，IC管芯结构包括在精细对准和/或键合之后去除牺牲管芯级载体。

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作者：情报员