国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种失效分析中的样品研磨方法”的专利，公开号CN121431165A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种失效分析中的样品研磨方法，包括以下步骤：S1：提供一待研磨目标样品、以及尺寸大于目标样品的底座芯片，目标样品为失效芯片；S2：对底座芯片进行加热，在底座芯片表面涂上热熔胶，热熔胶融化后平铺以形成热熔胶薄层，将失效芯片放置在热熔胶薄层边缘，从热熔胶薄层的边缘推至热熔胶薄层的中间位置，推动过程中挤出多余的热熔胶；S3：在底座芯片上除失效芯片所在区域粘dummy芯片，所述热熔胶薄层冷却凝固，通过研磨将失效芯片去层次至目标位置以进行失效分析。可以有效解决失效分析中的研磨难点，保护样品在研磨过程中不被机械应力损坏，提升样品研磨效率和成功率。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目935次，专利信息233条，此外企业还拥有行政许可12个。

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作者：情报员