国家知识产权局信息显示，深圳市芯都半导体有限公司申请一项名为“一种多芯片封装的老化测试方法”的专利，公开号CN121432144A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及芯片封装老化测试技术领域，具体而言，涉及一种多芯片封装的老化测试方法。本发明通过实时分析电流波形的异常特征并与高分辨率的温度分布变化相关联，进而实现在计算芯粒完全失效前，精准判定其“临近报废前期”状态，使得测试系统可以主动停止对临界器件的老化测试，避免了样品因过度失效而损坏或烧毁，为后续的无损分析保留了完整、珍贵的样本，其次，本发明采用电流与热成像数据融合分析的策略，通过“电流异常风险值”与“温度恶化指数”的双重判据，极大地降低了单一参数监控可能导致的误判与漏判，先通过电流异常锁定可疑计算芯粒，然后判定可疑计算芯粒的温度恶化指数，温度是导致计算芯粒失效的主要因素。

天眼查资料显示，深圳市芯都半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市芯都半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可11个。

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作者：情报员