国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“半导体器件的测试方法及测试装置、集成半导体器件”的专利，公开号CN121454268A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的测试方法及测试装置、集成半导体器件。所述半导体器件包括衬底和与所述衬底连接的衬底电极；所述测试方法包括：向所述衬底互相连接的至少两个所述半导体器件中的一个所述衬底电极输入测试信号，并采集其它所述半导体器件的衬底电极接入参考信号时的响应电流；根据所述测试信号及各所述响应电流，确定至少一个所述半导体器件的衬底电极与所述衬底的接触电阻。本发明能够解决测试可靠性较低，以及效率较低的问题。

天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息279条，此外企业还拥有行政许可51个。

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作者：情报员