国家知识产权局信息显示，重庆伟特森电子科技有限公司;无锡锡产微芯半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅晶圆减薄方法”的专利，公开号CN121463791A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明属于碳化硅加工技术领域，具体公开了一种碳化硅晶圆减薄方法，包括以下步骤：S1.将第一激光束的焦点对准碳化硅晶圆预设深度的剥离平面，剥离平面的碳化硅晶圆吸收激光能量，形成改性点，并通过激光照射扫描方式将各改性点连通形成改性层；S2.通过裂纹延展技术将改性点之间通过微裂纹串通，碳化硅晶圆沿改性层剥离，形成剥离面；S3.将碳化硅晶圆放置于高压腔体的腔室内，并通过第二激光束对剥离面以激光熔覆，形成熔融表面；S4.使用金刚石磨轮研磨熔融表面。本发明剥离后的碳化硅晶圆剥离面通过在高压环境下的激光熔融，熔融表面的粗糙度得到改善，从而有效降低剥离面对磨轮的损耗。

天眼查资料显示，重庆伟特森电子科技有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2850万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆伟特森电子科技有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可1个。

无锡锡产微芯半导体有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本309070.2287万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡锡产微芯半导体有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可15个。

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作者：情报员