国家知识产权局信息显示，SK恩普士有限公司申请一项名为“半导体工艺用抛光组合物及利用其的基板的抛光方法”的专利，公开号CN121464192A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，根据本说明书的一实施例的半导体工艺用抛光组合物包含抛光粒子及非离子型表面活性剂。半导体工艺用抛光组合物对氧化硅膜的接触角为30°至40°。当将这种半导体工艺用抛光组合物适用于化学机械抛光（CMP）工艺时，可提供平坦度得到改善且缺陷发生频率降低的被抛光面，并可改善抛光工艺的便利性。

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作者：情报员