国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“光刻图形补偿方法及其系统和半导体结构及形成方法”的专利，公开号CN121454856A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明实施例提供一种光刻图形补偿方法及其系统和半导体结构及形成方法，光刻图形补偿方法包括：提供半导体结构中预设的层结构图形分布，预设的层结构图形分布于不同层结构，至少包括对应第一层结构的第一图形和对应第二层结构的第二图形；进而确定用于光刻图形补偿计算的层结构所对应的基准图形；对基准图形进行像素划分，确定各像素对应的初始密度；根据初始密度与核函数的卷积，确定各像素对应的调整密度；基于层结构图形与核函数卷积所描述的密度函数，根据调整密度，确定图形补偿值；根据图形补偿值，对预设的层结构图形分布进行调整，以基于调整后的层结构图形分布执行光刻操作，实现提高层结构图形的尺寸精度。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

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作者：情报员