国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN121463512A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供半导体结构，包括第一功能区、第二功能区和电阻功能区，每一功能区形成有伪栅结构，且第一功能区的伪栅结构的宽度大于电阻功能区的伪栅结构的宽度；移除第一功能区的伪栅结构形成第一凹槽，以及移除电阻功能区的伪栅结构形成第二凹槽，在第一凹槽和第二凹槽中形成第一功函数调整层，在第一凹槽中形成第一栅极结构；移除第二功能区的伪栅结构形成第三凹槽，在第三凹槽中形成第二功函数调整层和第二栅极结构；其中，第二凹槽内形成电阻结构，电阻结构至少包括位于第二凹槽中的第一功函数调整层。即本申请中，同时完成第一功能区和电阻功能区的结构制备，减少工艺步骤，并提升了制造效率。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1820条，此外企业还拥有行政许可106个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员