国家知识产权局信息显示,美光科技公司申请一项名为“多层面存储器的板极布线架构”的专利,公开号CN121463457A,申请日期为2025年7月。

专利摘要显示,本申请案涉及多层面存储器板极布线架构。一种存储器阵列可包含存储器单元的上层面及下层面,例如铁电随机存取存储器FeRAM存储器单元。存储器单元的所述下层面可定位在所述上层面与衬底之间。与存储器单元的所述下层面相关联的第一板极线可与存储器单元的所述下层面的电荷存储组件耦合,且所述第一板极线可定位在存储器单元的所述下层面与存储器单元的所述上层面之间。第一触点包含上接触部分及下接触部分。所述上接触部分可耦合到所述第一板极线且可横向延伸远离所述第一板极线及存储器单元的所述下层面。所述下接触部分可耦合在所述上接触部分与所述衬底之间。

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作者:情报员