国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“半导体器件的形成方法和半导体器件”的专利，公开号CN121487263A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，在衬底上形成存储单元层和位于存储单元层上的掩模层，存储单元层包括第一电极层，第一电极层包括第一电极部和第二电极部，第二电极部位于第一电极部背离衬底的一侧，掩模层位于第二电极部背离衬底一侧的表面，第二电极部背离衬底一侧表面的粗糙度小于第一电极部表面的粗糙度。之后进行研磨处理，去除掩模层和至少部分第二电极部。降低了第二电极部顶表面的粗糙度，以减少掩模层在第二电极部表面的残留，提升良率。由于掩模层在第二电极部表面的残留风险降低，所以通过研磨去除至少部分第二电极部的厚度需求降低，因此可以减少研磨时间，从而可以减小由研磨工艺造成的凹槽深度，进而提升良率。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息207条。

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作者：情报员