国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121487298A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体还包括基区、第一区域、第二区域和第三区域，基区设置为第二导电类型且位于第一区域远离第一表面的一侧；第二区域设置为第二导电类型且位于第一表面；第三区域设置为第二导电类型且位于基区远离第一表面的一侧，且第三区域与第二区域接触，第一表面设置有沟槽；第三区域的离子浓度由第一表面指向第二表面的方向、以及由第二区域指向沟槽的方向逐渐递减；栅极，位于沟槽内；漏极，位于第二表面；源极，位于第一表面。本申请可以提高器件的可靠性，缩小器件元胞尺寸，降低比导通电阻。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目42次，专利信息112条，此外企业还拥有行政许可62个。

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作者：情报员