国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“采样管结构及其设计方法”的专利，公开号CN121503402A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种采样管结构及其设计方法。该采样管结构包括主功率管及对其进行采样的采样单元。采样单元包括至少两个对称地设置在主功率管周围的采样管。这种对称设置使得因半导体工艺波动(如P型注入区偏移)引起的单个采样管的采样比变化，能够被其他对称位置的采样管产生的补偿性变化所抵消，从而维持采样单元的整体采样比稳定。设计方法相应地包括提供主功率管，并围绕其对称设置至少两个采样管。本申请通过对称补偿设计，有效克服了工艺波动对采样精度的不利影响，显著提高了采样电路的精确度、稳定性及对版图布局的灵活性，进而提升了芯片的整体性能、可靠性与生产良率。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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作者：情报员