国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及形成方法”的专利，公开号CN121510611A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及形成方法，其中，方法，包括：提供形成有鳍部的基底，位于鳍部上的沟道材料叠层和位于沟道材料叠层上的多个源漏结构；去除相邻源漏结构之间暴露的部分沟道材料叠层，以剩余的沟道材料叠层为沟道叠层，以剩余的牺牲材料层为牺牲层，以剩余的沟道材料层为沟道层，沟道叠层在鳍部延伸方向上凸出于源漏结构；去除沟道叠层中的部分牺牲层；在沟道层的侧壁上形成位于沟道层的顶角和底角处的沟道补充结构；采用刻蚀工艺去除沟道补充结构和沟道层的部分侧壁，且刻蚀工艺对沟道补充结构的刻蚀速率等于对沟道层的刻蚀速率；在所述第二容纳空间形成内侧墙。本公开实施例提升了器件的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

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作者：情报员