国家知识产权局信息显示，武汉帝尔激光科技股份有限公司申请一项名为“一种背接触太阳能电池的制备方法”的专利，公开号CN121510692A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请提出一种背接触太阳能电池的制备方法，包括：S100、在硅衬底的背面上依次制备隧穿氧化层和掺硼多晶硅层，制备时在掺硼多晶硅层的表面会形成BSG层；S200、对掺硼多晶硅层进行选择性刻蚀减薄，形成预设N型掺杂区域；S300、对硅衬底的背面进行含磷层沉积，形成含磷沉积层以及位于含磷沉积层上方的PSG层；其中，对应预设N型掺杂区域的含磷沉积层称为第一含磷沉积层；S400、对第一含磷沉积层以及预设N型掺杂区域进行激光掺杂，预设N型掺杂区域转变成N型掺杂区域。本申请采用激光掺杂的方式形成N区高低结，激光局部掺杂的高温只停留在表层且持续时间短，不损伤基底或背接触电池激光未照射区域，且激光掺杂的浓度与深度可控。

天眼查资料显示，武汉帝尔激光科技股份有限公司，成立于2008年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本27356.225万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉帝尔激光科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目43次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息510条，此外企业还拥有行政许可49个。

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作者：情报员