国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121510581A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；浮栅结构，位于基底上；介质层，覆盖浮栅结构的顶部和侧壁；补偿侧墙，覆盖浮栅结构两侧底角位置处的介质层侧壁；字线栅结构，分别位于浮栅结构两侧的基底上，字线栅结构分别覆盖浮栅结构侧壁的介质层和补偿侧墙、以及延伸覆盖浮栅结构部分顶部的介质层。本发明有利于减小半导体结构的工作风险，进而有利于保障半导体结构的工作性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

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作者：情报员