国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种半导体测试结构及半导体测试方法”的专利，公开号CN121510968A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体测试结构及半导体测试方法，涉及半导体技术领域。通过对第一连接通孔和第一测试电极施加第一测试电压，同时第一网格导电线接入第一参考电压时，即能够完成第一测试引线和第一网格导电线之间的第一绝缘层的介电隔离性能测试。由于第一网格导电线的网格围绕第一测试电极进行设置，因此实现了第一连接通孔和第一测试电极的整体与第一网格导电线在任意方向上对位偏差监控，提高了测试效率且节省了切割道的面积。并且根据第一连接通孔和第一测试电极的整体与第一网格导电线之间击穿电压和击穿位置，来判断导电层之间是否出现对位偏差及确定偏移方位，为第一导电层和第二导电层的对位偏差分析提供数据参考，提高了测试效果。

天眼查资料显示，武汉楚兴技术有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2074316.847826万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可321个。

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作者：情报员