国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“平面器件及其制造方法”的专利，公开号CN121531748A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种平面器件，形成于半导体衬底上，半导体衬底的顶部表面上依次形成有材料不同的第一和第二半导体外延层；在平面器件的形成区域中，第一和第二半导体外延层具有图形化结构，包括：源漏形成区域中的第一和第二半导体外延层都被去除并形成有第一沟槽。在第一沟槽中填充有第一介质层，第一介质层的顶部表面位于第二半导体外延层的顶部表面和底部表面之间。栅极区域中形成有由第一半导体外延层被去除后形成的空隙结构。第三半导体外延层形成于第二半导体外延层的顶部表面和暴露的侧面并和第二半导体外延层组成顶部外延层。栅极结构形成于空隙结构顶部的顶部外延层的顶部表面上。本发明还公开了一种平面器件的制造方法。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次，专利信息2708条，此外企业还拥有行政许可397个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员