国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于控制等离子体腔室中颗粒生长的方法”的专利，公开号CN121533182A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本文公开了一种用于控制处理腔室中颗粒生长的方法。该方法包括在腔室中使用前驱物来执行至少一个等离子体沉积工艺以在基板上形成层。该方法还包括在至少一个等离子体沉积工艺期间向腔室提供功率，以及监测至少一个判据以确定何时将执行至少一次等离子体净化。该方法进一步包括响应于指示将执行至少一次等离子体净化的至少一个判据，通过将气体施加到腔室中来执行至少一次等离子体净化。

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作者：情报员