国家知识产权局信息显示，浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种基于贝叶斯模型的SRAF放置方法”的专利，公开号CN121522963A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于贝叶斯模型的SRAF放置方法。该方法包括：收集历史SRAF配置参数及光刻仿真数据并进行预处理；基于预处理后的数据，利用核密度估计构建先验概率分布；结合霍普金斯光刻模型，构建多光刻结果指标的似然函数；利用贝叶斯定理，通过变分推断计算后验概率的近似分布；最终根据后验分布选择最优SRAF配置参数，并验证其工艺窗口与掩膜制造可行性。本发明通过贝叶斯模型有机整合历史先验知识与实时光刻数据，结合预处理、核密度估计、霍普金斯物理模型和变分近似等具体技术特征，实现了SRAF布局的高精度、高效率和强鲁棒性优化，有效解决了现有技术中规则库复杂、计算耗时和适应性不足的问题。

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作者：情报员