国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法”的专利，公开号CN121548103A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法，涉及半导体技术领域，其中反相器包括n沟道和p沟道增强型GaN HEMT，两者横向分布于同一衬底的共用外延层上；外延层上方依次设置有二维介质层、石墨烯层及隔离介质层；p沟道器件源漏极设置在刻蚀隔离介质层和石墨烯层后的凹槽中，栅极凹槽刻蚀至P‑GaN层中；n沟道器件源漏极设置在刻蚀外延层至势垒层底部的凹槽中，栅电极位于未刻蚀P‑GaN层上方；器件间通过深入缓冲层的隔离槽实现隔离。本发明通过引入二维介质层和石墨烯层，在P‑GaN界面诱导二维空穴气，显著提升了空穴载流子浓度，解决了p沟道器件性能瓶颈，实现了高速、低功耗的单片集成互补逻辑。

天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，专利信息82条，此外企业还拥有行政许可7个。

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作者：情报员