国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121548041A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、第一浅沟槽隔离结构、第一套刻标记结构；衬底包括芯片区和切割道区，芯片区形成有第一沟槽，切割道区形成有第二沟槽；第一浅沟槽隔离结构位于芯片区的第一沟槽内，且包括与第一沟槽的内壁接触的第一绝缘层，第一绝缘层的顶表面高于衬底表面，可以改善外围晶体管的高k介质层沉积前第一浅沟槽隔离结构顶表面的形貌，避免相邻栅极短路问题；第一套刻标记结构位于切割道区的第二沟槽内，且包括与第二沟槽的内壁接触的第一填充层，第一填充层的顶表面高于衬底表面，可以提高第一套刻标记结构的光学量测信号强度和对比度，利于提高套刻精度。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息650条，此外企业还拥有行政许可34个。

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作者：情报员