国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121548071A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件的制造方法，属于半导体技术领域，所述制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有沟槽，衬底表面、沟槽侧壁及底壁依次形成有第一氧化层和第二氧化层，沟槽内填充有屏蔽栅材料层，第二氧化层及屏蔽栅材料层上覆盖有掩模材料层；对掩模材料层进行图形化形成第一开口，并回刻部分屏蔽栅材料层以形成屏蔽栅；形成第三氧化层，屏蔽栅上第三氧化层的顶壁低于衬底表面；移除第三氧化层，并回刻部分第二氧化层，以在沟槽内形成第二开口；形成第四氧化层填充满第二开口，回刻部分第四氧化层及第一氧化层，及去除所述掩模材料层，沟槽内剩余的第四氧化层作为屏蔽栅上介质层。本申请可提高半导体器件的性能和良率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1632条，此外企业还拥有行政许可22个。

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作者：情报员