国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“电容结构及其形成方法”的专利，公开号CN121548055A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种电容结构及其形成方法，所述方法包括：形成第一金属极板；在所述第一金属极板上形成第一氮化钛层，所述第一氮化钛层的热膨胀系数小于所述第一金属极板的热膨胀系数；在所述第一氮化钛层上形成介质叠层，所述介质叠层中所有层均为含氮材料层，且热膨胀系数均小于所述第一氮化钛层的热膨胀系数，其中，自所述介质叠层的中间子层至所述介质叠层的边缘子层，热膨胀系数逐层增大；在所述介质叠层上形成第二氮化钛层，所述第二氮化钛层的热膨胀系数大于所述介质叠层中所有层的热膨胀系数；在所述第二氮化钛层上形成第二金属极板，第二金属极板的热膨胀系数大于第二氮化钛层的热膨胀系数。采用上述方案，能够提高电容结构的质量。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本214766.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目275次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息568条，此外企业还拥有行政许可7个。

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作者：情报员