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作者简介：
大山聡，格罗斯伯格联合公司代表，他拥有庆应大学研究生院管理工程硕士学位。1985年加入东京电子。他曾担任销售工程师，1992年加入数据探索（现为 Gartner），并在半导体行业分析部担任高级行业分析师。 他于2004年加入富士通，担任电子设备部、管理战略部总经理和总经理，参与半导体部门的分拆工作。他于2010年加入iSupply（现为Omdia），负责半导体和二次电池的调查和分析。2017年，他创立了格罗斯伯格合办公司，负责研究和咨询。
此前笔者曾撰写，获得了大量读者的反馈与评论。拙文能够得到诸多读者的关注与阅读，深感荣幸，谨借此机会表示感谢。不过，由于一次性列举了 10 个项目，整体上难以进行深入分析，不可否认有些部分只是略作介绍便草草收尾。本次将从这 10 个项目中，选取其后仍成为众多人士讨论焦点的 3 个问题，再次梳理 2026 年的关注点。
01
关于 DRAM 市场的前景
DRAM 市场的前景，或许是当前最受关注的话题。稍作回顾可以发现，在 2025 年 10 月时尚未成为热点。如今看来，10 月初曾有报道称“OpenAI 正与主要 DRAM 厂商就 DRAM 供应进行磋商”，或许正是从那时起出现了 DRAM 紧缺的征兆。然而，笔者本人当时并未意识到这一点。到了 2025 年 11 月，DDR5 现货价格开始急剧上涨，市场突然热议此事。原因如上次所述，是面向数据中心的 AI 需求增加。
进一步而言，主要原因包括：在 HBM（高带宽存储器）领域占据最高市场份额的 SK海力士减少了常规 DRAM 的量产份额，加速 HBM 扩产；三星与美光也以数据中心需求加速增长为由，将常规 DRAM 的出货重点转向数据中心。这一动向似乎不会只是暂时现象。幕后推动者是NVIDIA。
NVIDIA 与主要 DRAM 厂商共同开发了名为 SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）的新规格，为扩充数据中心 AI 功能，提出不仅使用 HBM，也利用常规 DRAM 的战略。HBM 与常规 DRAM 在芯片结构上不同，且需与 GPU 同封装，扩展性有限。相比之下，SOCAMM 虽然速度不及 HBM，但可使用常规 DRAM，且为模块形式，具备扩展性。
对 DRAM 厂商而言，如果同样的 DRAM 能以高于 PC 或智能手机用途的价格销售，选择配合 NVIDIA 显然更为有利。SOCAMM 规格自 2025 年上半年已存在，但采用案例并不多。到 2025 年下半年，SOCAMM2 完成规格制定，预计将于 2026 年正式启动需求。
这便是 2025 年底至 2026 年初 DRAM 市场发生的动向。
DRAM 单价在 2026 年 2 月仍持续上涨，其影响也带动了 NAND 闪存需求增加与价格上升。主要原因包括：数据中心 SSD 需求与 DRAM 需求增长联动；PC 与智能手机厂商为应对 DRAM 紧缺，试图通过提高存储容量（SSD）来弥补规格。
近期还有一个特点是，许多研究机构预测“2026 年 PC 与智能手机市场将呈负增长”。这并非由于需求减少，而是因为内存采购变得困难，即便勉强采购，零部件成本上升，也不得不限制生产数量。
那么，这种状况将持续多久？DRAM 紧缺是否会长期持续？
世界存储器市场规模与增长率走势；出处：WSTS（世界半导体市场统计）
从过往模式来看，存储市场增长率在 2017 年年中达到峰值，2019 年年中触底；2021 年后半年达到峰值，2023 年年中触底，呈现约 4 年周期。如果按此模式推算，则 2025 年为峰值、2027 年为谷底。然而复杂之处在于，仅看增长率的话，峰值已在 2024 年出现，2025 年上半年下降、下半年回升，呈现不同于以往的走势。从图表可以清楚看到两点：本轮出货规模远高于前两轮峰值，且截至目前尚未确认已见顶。
关于未来展望，较多观点认为：“DRAM 紧缺几乎可以确定持续至 2026 年底”、“DRAM 主要用户已开始讨论 2027 年的采购计划”、“到 2028 年 DRAM 紧缺有望得到缓解”。
笔者则在本连载中提出“2026 年下半年情况可能会发生变化”的看法。这一观点属于少数派，常被问及理由。笔者认为原因在于：当前紧缺与争抢状况已显过热，用户之间为避免在争抢中落败，可能下达超出实际需求的订单，导致虚假需求膨胀。数年前车用半导体短缺演变为社会问题时，也曾因用户争抢而推高虚假需求，最终引发大量库存问题。目前 DRAM 的虚假需求膨胀几乎可以确定。问题在于，这种状况何时显现，争抢何时终止。正因为无法判断这一时间点，各方看法才出现分歧。
02
台积电熊本厂改为量产 3nm 的计划变更
据称，台积电在熊本县建设的第一工厂稼动率低迷在 50% 左右。在这种情况下，关于正在建设中的熊本第二工厂，相关人士之间开始出现担忧——“是否应该按原计划作为对应 6nm至40nm 制程的半导体工厂投入运营”、“如果继续维持这种传统制程，是否会像第一工厂一样稼动率低迷”。一度甚至传出“施工现场多台运转中的起重机不见了”、“接下来该怎么办”等议论。到了 2025 年底，又流传出“是否会上马 4nm”、“甚至可能是 2nm”等引入最先进制程的传闻。2026 年 2 月 5 日，TSMC 正式宣布“将在熊本第二工厂启动 3nm 生产线”。
笔者也听到“日本没有 3nm 客户”、“这是高市内阁为选举铺路的策略”等说法，但笔者并不这么认为。传统制程因需求低迷而产线空闲，最先进制程却因需求过剩而产线满载。既然如此，在第二工厂导入最先进制程应是必然的判断。正如笔者在上一篇文章中所述，“台积电似乎乐于在建设成本和工厂运营成本低于美国的日本量产最先进制程”，问题并不在于“日本是否有客户”，而是在于“在哪里更容易生产”。似乎更被重视的是“在更容易生产的地方生产”。
笔者也希望，不仅是晶圆前段工序，包括 CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）这样的最先进封装工序也能在日本实现。实际上，台积电已在茨城县筑波市设立了相关研究所。如今，CoWoS 的生产能力甚至被称为“AI 处理器生产的瓶颈”，已成为极为关键的环节。本来希望日系厂商能够运用这样的先进技术，在半导体产业中奋力拼搏。但遗憾的是，曾在全球半导体产业中争夺领先地位的日本大型电机厂商似乎完全没有这样的想法。或许他们并不愿意参与日本政府提出的半导体战略。关于这一点，在此不再深入。
03
英特尔复活的关键是“EMIB-T”吗？
无论好坏，近来英特尔本身成为话题的机会减少，市场更多集中在“NVIDIA 会增长到何种程度”、“是否只有台积电才能制造”、“DRAM 价格会上涨到哪里”等议题。这些全部都与 AI 有关——推动 AI 的 NVIDIA、负责制造的台积电、被 AI 大量消耗的 DRAM，形成了紧密关联。也就是说，如今的半导体行业几乎只围绕 AI 展开，其他领域被排在次要甚至更次要的位置。
未能搭上 AI 浪潮的英特尔也不例外。不过，英特尔的最先进封装技术“EMIB-T”开始受到关注。原因在于台积电的 CoWoS 成为瓶颈，作为替代技术，英特尔的 EMIB-T 被看好。有未经确认的信息称，Apple、Qualcomm、Broadcom、Google 等公司正在考虑采用 EMIB-T。Broadcom 和 Google 可能用于数据中心领域，而 Apple 和 Qualcomm 则可能考虑用于智能手机。以 Apple 为例，或许是前段制造在台积电进行，后段采用英特尔的 EMIB-T，再搭载于 iPhone。
“EMIB-T”概述；出处：Intel
目前尚未决定采用与否，未来如何仍未可知。但如果英特尔的制造功能能够以代工形式被利用，即便是后段工序，也可能成为复活的契机。英特尔宣布制造部门分拆是在 2024 年 9 月，但此后并未具体推进。
顺便提及，截至2025年12月末，英特尔的有形固定资产为 1054 亿美元，其中大部分被认为属于制造部门资产。要为约 1000 亿美元的工厂资产出资并运营，而且限定为美国企业，候选者并不多。此前笔者也如此认为，但有人提出“是否存在 Tesla 收购的可能性？Tesla 似乎希望拥有自有半导体工厂（TeraFab）”。从常识来看难以想象，但 Tesla 的 CEO 似乎并非按照常识行事。或许像笔者这样的凡人，不应轻易断言“绝无可能”。
以上选取三点进行深入讨论。今后的动向仍值得关注。
我是芯片超人花姐，入行20年，经手10亿+RMB芯片采购。
原创写了9年文章，有50W+芯片行业粉丝。
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来源：内容由芯世相（ID：xinpianlaosiji）编译自「EE Times Japan」，作者：大山聡
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