存储芯片本轮涨价能走多远？一文看懂产业链|产业链|美光|西部数据|闪存

核心观点：
存储芯片是芯片行业的第二大产业，仅次于CPU、GPU等逻辑芯片。本轮存储芯片市场的热潮，源于全球范围内供需关系的深刻调整。需求端方面，人工智能基础设施建设的激增，导致对高端内存的需求前所未有，供给端方面，美光科技等国际大厂已预警短缺状态将持续。
存储芯片一般3-4年为一个周期，得益于上游SK海力士、三星等存储晶圆原厂主动控制产出，存储芯片价格从2023年下半年开始反转，进入第五个上行周期。2023年美光率先削减30%产能，为目前新一轮周期起点。
价格方面，我们预计将会持续，涨势至少会延续到2026年下半年。存储芯片价格自2025年9月以来持续上涨，其中DDR5内存颗粒现货价格涨幅已超过300%。256GBDDR5服务器内存的单条价格突破4万元。我们预计2026年一季度存储芯片价格将上升40%~50%，二季度预计还将再上涨约20%。

（1）行业定义及发展历程

1）定义及介绍

存储芯片也叫半导体存储器，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放，直接决定了数据洪流的承载与处理能力，其容量与速度，直接决定了数据洪流的承载与处理能力。存储芯片分成易失性和非易失性两种：

易失性存储：就像电脑的内存（如SRAM、DRAM），数据会受到断电的影响；

非易失性存储：比如PROM、Flash存储器、EPROM/EEPROM这些，哪怕断电，数据也能存着。现在市场上主流的是Flash和DRAM这两种存储器，两者加起来能占差不多99%的市场份额。

图表1：易失性存储与非易失性存储对比图

来源：融中咨询

专用型存储芯片通常有特定的应用需求，或是在特定的市场细分中有竞争优势。当前应用较为广泛的品类主要包括NOR Flash、NAND Flash、DRAM。

DRAM又细分为标准型DRAM、移动型DRAM、绘图型DRAM、利基型DRAM等类别。标准DRAM主要应用于PC、服务器等；移动型DRAM主要为LPDDR，应用于智能手机、平板电脑等场景；绘图型DRAM用于显卡的显存（GDDR）;利基型DRAM，主要应用于液晶电视、数字机顶盒、网络播放器等产品。

国内在DRAM领域比较有代表性的企业是合肥长鑫、福建晋华、紫光国芯、兆易创新、北京矽成、东芯半导体、南亚科技（中国台湾）、华邦电子（中国台湾）、力积电（中国台湾）等。

2）特点

存储芯片的行业周期性非常明显，受国际垄断大厂的政策和供需变化影响较大大，主要原因之一是存储器技术壁垒高、研发周期长、国际竞争激烈，使得这一领域的创新创业难度较大。

成本占比方面，以手机为例，存储芯片成本端占比不同。

低端入门机（千元以下）：内存成本占比相对较高，可能在10%-15% 甚至更高。因为手机整体物料成本低，处理器、屏幕、相机等部件都相对廉价，使得内存成本显得突出。

中高端机（2000-5000元）：内存成本占比适中，通常在8%-12%左右。手机的处理器（SoC）、高端屏幕、相机模组成本大幅上升，稀释了内存的占比。
顶级旗舰机（5000元以上）：内存成本占比最低，可能仅占5%-8%。因为除了顶级的SoC、屏幕、相机外，还会在精密结构、特殊材质、散热等方面投入高昂成本。

3）技术方案

DRAM和NAND为两种不同的技术方案。DRAM的需求更集中、更具周期性，NAND Flash的需求更分散、场景更多元。

图表2：DRAM与NAND Flash的对比

来源：融中咨询

在产品标准方面，行业一般采用由固态技术协会（JEDEC）制定的产品标准，也就是大家熟悉的DDR1-DDR5。DRAM三巨头，都具备了DDR5/LPDDR5的量产能力。

图表3：DDR1-DDR5主要指标比较

来源：融中咨询

在本轮存储芯片产业周期中，不同产品品类的技术轨迹和市场地位呈现出显著分化，HBM（高带宽内存）凭借其颠覆性架构成为金字塔顶端的明星产品。作为GPU和AI加速卡的“标配”内存，HBM通过2.5D/3D堆叠和硅通孔（TSV）技术实现了带宽的飞跃，其核心价值在于有效破解了制约算力性能的“内存墙”难题。当前行业正处在从HBM3e向HBM4过渡的关键节点，技术迭代速度不断加快。

图表4：不同芯片技术代际对比

来源：市场公开资料，融中研究

4）发展历程

存储技术从磁芯到半导体存储（DRAM、闪存）的演进，推动了信息技术的飞跃；市场重心先后从日本转移至韩国，并正在向中国扩散，形成全球化竞争与创新格局。

图表5：芯片产品的变化历史

来源：融中咨询

（2）行业现状分析

1）行业政策趋势

存储芯片作为信息存储的载体，其稳定性与安全性对国家的信息安全有着举足轻重的意义，因而国家政策大力支持存储芯片行业发展。如《信息化标准建设行动计划（2024—2027年）》《关于推动未来产业创新发展的实施意见》等产业政策的支持促进了存储芯片行业的发展、增强了企业的自主研发能力、提高了国内存储芯片企业的整体竞争力。

图表6：存储芯片相关政策

来源：融中咨询

2）行业规模

在集成电路市场，存储芯片与逻辑芯片贡献了最大价值量。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的统计，2024年，全球半导体市场销售额约6305.49亿美元，其中，逻辑电路销售额约为2157.68亿美元，存储芯片销售额约为1655.16亿美元。

AI有效带动存储芯片尤其是DRAM/HBM的增长。根据《Memory Market overview 2025 Update》，2024年全球存储市场约1700亿美元，DRAM约970亿美元，其中HBM174亿美元，在AI的带动下HBM到2030年将增长至到980亿美元，CAGR约33%。

图表7：存储芯片细分市场占比

来源：融中咨询

DRAM方面，预计供应短缺将持续到2027年第一季度，其中DDR需求增长20.7%，远超供应增长。NAND短缺情况预计延续至2026年第三季度。根据TrendForce数据，2026年DRAM位增长率或达26%，NAND位增长率或达21%，较2025年(22%/15%)呈现加速态势，主要受AI服务器、HBM渗透率提升及数据中心扩建等因素驱动。

（3）产业链分析

1）相关产业链

图表8：存储芯片产业链上下游

来源：公开资料，融中咨询

产业链方面，存储芯片的上游主要为芯片设计与制造提供支撑的产业，包括设计工具（如EDA）、半导体IP、制造与封测所需的材料和设备。中游涵盖芯片的设计、制造与封测环节，分为外资与本土企业。外资代表有韩国三星、SK海力士，美国英特尔、美光、西部数据等；本土企业则包括长江存储、兆易创新、君正，以及封测领域的佰维存储等。下游是存储芯片的主要应用场景，涵盖通信设备、汽车电子、消费电子和计算机等领域。相关企业包括通信领域的中国电信、TP-LINK，汽车领域的蔚来，消费电子领域的小米，以及计算机领域的华为和微软等。

中国存储芯片产业在政策支持和市场需求推动下快速发展。长江存储率先推出128层3D NAND Flash产品，长鑫存储在DRAM领域实现技术突破，逐步缩小与国际领先企业的差距。在存储芯片设计环节，兆易创新在全球NORFlash市场位居前三，北京君正在汽车电子存储领域形成特色，紫光国芯专注DRAM技术，这些企业共同推动国产存储芯片生态完善。

对于国产存储替代的优势，当前最核心的优势有两点，一是成熟制程的产能与成本势，国际巨头退出低端成熟市场后，国内企业凭借量产稳定性和性价比快速补位，在消费级存储、低端工业级存储领域形成份额壁垒，且能依托本土下游电子产业链实现供需联动；二是政策与市场双轮驱动，国内算力基建、终端制造带来本土刚需市场，叠加半导体配套政策扶持，为国产存储提供了业绩缓冲和技术迭代的窗口期。

2）相关公司

市场份额方面，存储芯片一直被韩国的三星、海力士，还有美国的美光垄断，市场份额占据全球95%以上。国内行业当前最核心的优势是结构性市场卡位与产业链协同能力，国内头部企业突破了先进的3D和DDR5技术并实现量产。全球存储芯片市场被海外企业高度垄断。DRAM作为存储器第一大产品，三星、海力士、美光垄断了全球96.5%的市场份额，行业集中度高，寡头明显；NAND领域，竞争格局相对DRAM领域较分散，三星、铠侠、SK海力士、西部数据、美光合计占据95.5%的市场份额。我国虽然是全球最主要的存储芯片消费市场，但由于产业起步较晚，市场占有率仍相对较低。

供给端，AI驱动的高端存储需求爆发，使三星、SK海力士、美光三大巨头加速将晶圆产能向HBM、DDR5等高附加值产品倾斜，同时大幅压缩成熟制程比重。美光的动作最为彻底，此前宣布退出消费存储品牌英睿达（Crucial）业务，彻底剥离消费级产品线。AI等细分市场方面，尽管美光与同业正竭尽全力服务各个细分市场，但目前供应量仍远远不足。

图表9：2025-2026年全球存储芯片资本支出预测单位：亿美元

数据来源：融中咨询

产能周期方面，存储芯片从产能规划到量产需要2-3年周期，头部厂商2025年资本开支保持审慎，三星P4L厂、SK海力士M15X工厂等新增产能释放缓慢，进一步加剧了供需失衡。Trend Force预计2026年DRAM资本开支同比或增长23%，显著高于历史平均水平，反映存储厂商在技术升级(HBM、DDR5)和产能扩张方面的积极布局，存储周期下的供需共振格局进一步确立。

美光：专注DRAM、NAND和NOR闪存技术，产品覆盖计算机、移动设备、汽车、工业领域。技术创新与产能扩张并重。美光在技术创新方面投入巨大，2025年资本支出占营收30%，主要用于DRAM/HBM产能扩张。公司计划2027年在新加坡和美国新博伊西建设Fab，同时在纽约州雪城附近的Mega工厂规划未来20年的HBM产线。财务方面，美光2026财年第一季度毛利率为56.8%，环比提高11个百分点。战略方面，美光将新工厂产品明确锁定在AI专用的HBM芯片上，显示出它正将未来增长重心押注于人工智能这一高增长赛道。

三星：全面领先战略。三星在DRAM和NAND两个领域都保持领先地位，通过技术创新和产能优势巩固市场地位。在DRAM领域，三星2025年下半年量产HBM4，采用4nm逻辑工艺与10nmDRAM制程，目标良率突破80%。在NAND领域，三星V10NAND将实现420-430层堆叠，并计划到2030年实现1000层NAND。

海力士：聚焦高端产品。SK海力士将战略重点放在HBM和高端DRAM产品上，2025年全年HBM产能较2024年翻倍。公司正在推进第5代1b DRAM的产能提升，计划将月产能从年初的1万片提升至年底的9万片，2026年上半年进一步提升至14-15万片。在NAND领域，SK海力士计划将部分产能转用于生产HBM，321层QLC量产领先其他家，体现了向高价值产品倾斜的战略。
铠侠/西部数据：整合寻求突破。铠侠与西部数据的合并谈判仍在进行中，这一整合将创造一个在NAND和HDD领域都具有强大竞争力的存储巨头。合并后的公司将在技术研发、产能规划、市场拓展等方面实现协同效应，有望挑战三星的市场地位。
长江存储：成立于2016年。其突围的关键在于核心技术——晶栈®Xtacking®架构。在该架构推出前，市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构。通过创新布局和缜密验证，长江存储将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。
长鑫存储：国内DRAM存储芯片的龙头企业。他们的DRAM技术主要来自于已破产的德系DRAM厂商奇梦达，以及日系厂商尔必达，公司成立于2016年，作为国产DRAM存储芯片企业，其产品应用于智能手机、PC等场景，主攻DRAM领域。2019年，其量产第一代19nm工艺DDR4芯片，标志着中国自主研发的DRAM技术取得从"0"到"1"的突破。此后，长鑫稳步推进技术迭代，逐步构建起覆盖DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5X的产品矩阵。长鑫科技IPO意义重大，不仅是中国芯片最大IPO，更是国产存储芯片打破国际垄断的里程碑，预计2026年3-5月上市，有望冲击万亿市值。

（4）应用场景

图表10：各细分市场存储芯片需求增长预测（2026年）

来源：融中咨询

存储产业链下游为应用方向，包括消费电子、汽车电子、信息通信、人工智能等应用领域内的企业，各类电子化和智能化设备都离不开存储芯片应用。很长时期以来，存储芯片产业的发展一直由美、日、韩三国主导，目前处于国产替代的阶段。

需求方面，AI产业的发展拉动了整体的需求。过去，数据中心在内存潜在市场(TAM)的占比约为30%至35%，但如今已跃升至50%甚至60%，且整个市场对比特数(Bit)的需求远超以往。此外，企业客户——AI云厂商亚马逊、Alphabet、Meta和微软等等砸重金扩建AI基础设施，预计在2025年合计资本支出将超过3600亿美元。根据调研机构Counterpoint Research，2026年全球生产的内存中高达70%将被数据中心消耗。

技术创新与自主研发能力持续突破

中国存储芯片企业加速向技术迭代，持续提升自主研发能力。随着研发积累的不断深厚和高端人才的集聚，本土企业将逐步掌握更多关键核心技术，具备从设计到制造的全链条创新能力。这不仅将推动国产存储芯片在性能、功耗和可靠性上与国际主流水平看齐，更将在部分领域实现领先，从根本上提升中国在全球存储产业链中的话语权与核心竞争力。

中国企业加速国际化布局

随着产品竞争力的稳步提升，中国存储芯片企业将加速从产品出海向品牌出海和技术出海转变。通过在海外设立研发中心、参与国际标准制定以及与全球顶尖平台开展联合创新，中国企业将更深入地融入全球半导体生态。国际化布局不仅为企业打开了更广阔的市场空间，也将在技术交流与产业协作中推动全球存储产业的共同进步。

供需紧张状态仍将持续

从2023年下半年至今全球存储芯片价格持续攀升，尤其2025年以来，闪迪、美光、三星、SK海力士等国外大厂多数已经上调产品价格，主要原因是全球存储芯片需求不断上涨所致。全球半导体贸易统计组织发布的预测数据显示，2025年全球存储芯片销售额将达到1848.41亿美元，同比增长11.68%。2026年销售额将达到2148.26亿美元，同比增长16.22%。

存储芯片行业挑战方面，“卡脖子”难题集中在三方面：1）高端制程核心技术，3D NAND的高堆叠层数、DDR5高频低功耗等核心指标，中国企业与国际巨头仍有代差；2）供应链配套，存储芯片所需的高端光刻胶、特种气体、核心设备零部件依赖进口，供应链安全存在隐患；3）生态认证壁垒，高端服务器、车规级存储的行业认证周期长，国产产品短期难进入国际头部厂商供应链体系。

此外，存储芯片涨价可能抑制相关产品的需求。尤其对于千元左右的中低端手机来说，内存条的涨价无疑进一步挤占了利润空间。多家手机厂商下调全年整机订单数量，各家下调机型主要都侧重在中低端和海外产品。存储芯片供需错配可能持续较长时间，市场已从买方市场转向卖方市场，定价权进一步向掌握先进技术的头部厂商集中。美光科技2026年全年HBM的供应量已全部售罄；SK海力士也称2026年全系列存储订单已售罄，涨价趋势可能延续至2026年。一方面，HBM与DDR5的产能置换比例为3：1，且未来几代HBM的这一置换比例还将进一步提高，这意味着每增加一单位HBM产能，就会减少3单位传统存储芯片产能。另一方面，全球洁净室建设周期长达2-3年，而核心工程师培养也需要相似时间，供给端难以快速响应需求变化。