国家知识产权局信息显示，森一量子科技（厦门）有限公司申请一项名为“一种直拉法晶体生长控制方法”的专利，公开号CN121556125A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及一种直拉法晶体生长控制方法，用于加热坩埚的感应加热线圈为单层线圈，通过增设一支路 LC 调谐电路，在不同生长阶段利用该 LC 调谐电路对两条线路的电流进行调整，进而实现对加热坩埚功率的灵活调控。所述感应加热线圈设置有至少三个连接端点，分别为线圈起点a、线圈中部端点b和线圈终点c，由此形成两条线路o‑a与o‑b，且这两条线路在电路中呈并联状态。所述支路LC调谐电路是于线路o‑b中增设可调电容与电感装置而构成。本发明可实现晶体生长过程中熔体和晶体温梯的灵活调控，避免因晶体长度增加而导致的生长速度下降问题。此外，该方法有助于增加晶体生长长度，降低晶体生长扭曲的概率，并减少原料留埚比例率，从而达到降低成本的目的。

天眼查资料显示，森一量子科技（厦门）有限公司，成立于2022年，位于厦门市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本5396.7857万人民币。通过天眼查大数据分析，森一量子科技（厦门）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员