国家知识产权局信息显示，南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请一项名为“绝缘体上碳化硅的P型掺杂调控及横向功率器件制备方法”的专利，公开号CN121586399A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了绝缘体上碳化硅的P型掺杂调控及横向功率器件制备方法，包括步骤1、选取退火温度；步骤2、将P型掺杂层的掺杂浓度顶层设为最高，底层设为最低；步骤3、设计离子注入次数M；步骤4、M个P型掺杂层浓度从下至上依次增大；步骤5、设计每层铝离子注入层的离子注入参数；其中，离子注入能量从下至上依次降低；离子注入剂量从下至上依次增大。本发明采用多次离子注入，第一次注入高能量、小剂量，后续各次注入依次降低能量、增加剂量，经退火后形成从下至上递增的P型掺杂浓度分布，从而降低PN结拐角处电场峰值，并降低接触电阻，还使得SiCOI横向功率器件在保持高耐压同时扩大退火温度范围，从而提高退火工艺的容错率。

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作者：情报员