国家知识产权局信息显示，南京银茂微电子制造有限公司取得一项名为“一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件”的专利，授权公告号CN223968221U，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本实用新型涉及超声波清洗技术领域，具体为一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件，包括器件本体，所述器件本体的底端安装有三组插脚，且器件本体的顶端安装有顶板，所述顶板的底端靠两侧的位置均安装有限位杆，且限位杆的侧表面均开设有限位孔，所述限位杆的底端均活动插接在限位槽的内部中，且两组限位槽分别位于防护壳的顶端靠一侧的位置，所述防护壳的底端安装有连接套。通过顶板、限位杆、限位孔、防护壳、连接套、贯穿槽、防护套、限位槽、销杆、连接盘和拉环等零部件设置可有效解决了现有的器件本体焊接至电路板进行使用时，电路板会安装在仪器内部，而仪器本身的壳体就已经能够对器件本体进行防护，此时防护壳不进行拆卸，会造成散热效率慢的问题。

天眼查资料显示，南京银茂微电子制造有限公司，成立于2007年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7000万人民币。通过天眼查大数据分析，南京银茂微电子制造有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息87条，此外企业还拥有行政许可7个。

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作者：情报员