碳化硅新增长极：AI + 新兴硬件驱动，打开千亿级新市场

AI GPU 功率持续提升，英伟达 B300 达 1400W ，CoWoS 封装散热需求激增，传统硅中介层已达瓶颈。

SiC 中介层优势：热导率是硅的 2-3 倍，支持湿法刻蚀缩小封装体积，台积电计划将 12 英寸 SiC 用于散热载板。

产能支撑：国内 12 家厂商实现 12 英寸 N 型 4H-SiC 衬底研发量产，为 SiC 中介层导入奠定基础。

数据中心电力成本占比 56.7% ，AI 数据中心单机功率密度是传统的 5 倍以上，供电损耗问题突出。

SiC 应用于 UPS 和服务器电源，UPS 功率损失降低 70%，可长期以 98% 以上效率运行。

英伟达 2027 年将切换至 800V HVDC 架构，带动 6500V/3300V/1200V 等多规格 SiC MOSFET 需求激增。

AR 眼镜是 AI 理想载体，2025 年全球销量望达 85 万台 （+70%），2030 年 AI 眼镜出货望达 8000 万副 。

SiC 光波导镜片优势：折射率 2.6 （玻璃最高 2.0），视场角达 70°，无彩虹伪影，单镜片重量仅 2.685g（玻璃 10-15g），热导率 490W/mK 解决散热问题。

降本关键：大尺寸衬底提升材料利用率，12 英寸 SiC 晶圆可做 8-9 副眼镜，半绝缘型衬底产能释放后有望进入消费级市场。