国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“铌酸锂薄膜调制器及其制备方法、接触孔的形成方法”的专利，公开号CN121634394A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种铌酸锂薄膜调制器及其制备方法、接触孔的形成方法，其中，所述铌酸锂薄膜调制器的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一绝缘体上铌酸锂薄膜，刻蚀得到铌酸锂波导；S2：在铌酸锂波导上依次沉积氧化硅层和金属层，对金属层进行图形化处理得到阻挡层，阻挡层包括至少两个调制电极；S3：在阻挡层上继续沉积保护层，刻蚀保护层直至阻挡层表面，形成至少两个接触孔；S4：在接触孔内沉积金属，并图形化出金属连线。通过预先在铌酸锂波导和接触孔之间设置阻挡层，可以有效控制接触孔的刻蚀深度，而且可以防止高深宽比接触孔工艺中产生氟化锂等刻蚀副产物。

天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目490次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息834条，此外企业还拥有行政许可47个。

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作者：情报员