国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“用于带状场效应晶体管的无缺陷外延源极和漏极结构”的专利，公开号CN121728824A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，公开了用于带状场效应晶体管的无缺陷外延源极和漏极结构。本文描述了涉及具有通过在纳米带的相对端处的外延源极和漏极结构接触的纳米带(即，半导体结构)的堆叠体的全环绕栅极场效应晶体管的器件、晶体管结构、系统和技术。晶体管包括垂直地位于纳米带之间的栅极结构。纳米带在其相对的端部处被掺杂，和/或间隙横向地位于栅极结构与源极和漏极结构之间。

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作者：情报员