国家知识产权局信息显示，南通威斯派尔半导体技术有限公司申请一项名为“一种改善AMB基板翘曲及真空吸附适配性的方法”的专利，公开号CN121752074A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种改善AMB基板翘曲及真空吸附适配性的方法，包括：步骤S1，AMB基板基础层厚设定及减铜工艺，其中，AMB基板自上而下为正面铜箔层、陶瓷基板、背面铜箔层；步骤S2，根据正面铜箔层电路导条沟槽的密度差异，将正面划分为高密度区与低密度区；步骤S3，对高密度区与低密度区对应调整背面铜箔层的局部减铜量，实现正背面铜占比动态匹配。本发明通过背面铜箔层精准减薄，结合正面电路导条沟槽的密度差异动态调整正背面铜占比，从根源上平衡基板应力，同时优化背面局部结构，进一步消除局部翘曲，使基板整体翘曲量控制在0.03‑0.08mm，满足真空吸附需求，提升自动化生产效率。

天眼查资料显示，南通威斯派尔半导体技术有限公司，成立于2020年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5200万人民币。通过天眼查大数据分析，南通威斯派尔半导体技术有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可9个。

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作者：情报员