国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有用于ESD保护的多个环的PMOS装置”的专利，公开号CN121751763A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开是针对具有用于ESD保护的多个环的PMOS装置。举例来说，半导体装置[600]包含p型场效应晶体管，所述p型场效应晶体管包括栅极[G]、连接到上部电源端子[606]的源极区[S]和连接到输出端子[607]的漏极区[D]。所述源极区为形成于n型阱区[601]中的第一p型区，所述漏极区为形成于所述n型阱区中的第二p型区，且所述n型阱区形成于p型衬底[604]上方的p型外延区[602]中。形成于所述n型阱区中的n型区[612]形成横向地包围所述第一p型区和所述第二p型区的第一环且连接到所述上部电源端子。形成于所述p型外延区中的第三p型区[605，614]形成横向地包围所述n型阱区的第二环且连接到所述输出端子。

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作者：情报员