国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“在低温下蚀刻含硅及氧特征的方法”的专利，公开号CN121753532A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，范例半导体处理方法可包括：将含氟前驱物及含氢前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可容置于处理区域中。含硅材料层可设置于基板上。所述方法可包括：形成含氟前驱物及含氢前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括：使基板接触含氟前驱物及含氢前驱物的等离子体流出物。所述接触可蚀刻含硅材料层中的特征。在半导体处理方法期间，可将基板支撑台座温度维持在低于或约-20°C。

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作者：情报员