国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“用于保护氮化硅的氮氧化硅膜”的专利，公开号CN121772344A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，公开了用于保护氮化硅的氮氧化硅膜。所描述实例包含集成电路(100)，所述集成电路包含延伸到半导体衬底(106)中的沟槽。氮化硅主体(122)位于所述沟槽内。多晶硅电极(128)在所述氮化硅主体(122)上方延伸，且氮氧化硅层(124)位于所述氮化硅主体(122)与所述多晶硅电极(128)之间。

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作者：情报员