国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司申请一项名为“一种半导体刻蚀方法和半导体结构”的专利，公开号CN121772628A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体技术，尤其涉及一种半导体刻蚀方法和半导体结构。该半导体刻蚀方法提供包含目标材料层的半导体结构，目标材料层预埋多个找平标记；其中，找平标记基于第一预设图案形成；基于第二预设图案，利用蚀刻剂对目标材料层进行刻蚀，形成多个刻蚀腔体；且多个刻蚀腔体和多个找平标记沿第三方向的投影对齐，使找平标记在刻蚀过程中被去除；其中，目标材料层与蚀刻剂之间的反应速率大于找平标记的材料与蚀刻剂之间的反应速率，第一预设图案与第二预设图案为掩膜互补图案。本公开目标材料层的材料和找平标记的材料具有高选择比，从而通过找平标记缓冲不同区域刻蚀腔体的暴露时间差，解决微观负载效应导致的刻蚀不均的问题，实现平面化校准。

天眼查资料显示，湖北江城芯片中试服务有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北江城芯片中试服务有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可9个。

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作者：情报员