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4月1日消息，据报道，铠侠已通知客户，计划停止生产其2D NAND和第三代BiCS 3D NAND闪存。值得关注的是，铠侠此次将终结平面NAND闪存的生产。

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平面NAND闪存是3D NAND闪存的前身，自20世纪80年代以来一直在生产。铠侠正在停产一系列传统NAND产品，包括基于32nm（SLC，自2009年开始量产）、24nm（MLC，自2010年开始量产）和15nm（MLC和TLC，自2014年开始量产）工艺节点的平面浮栅NAND，以及早期64层BiCS3 3D NAND（约于2017年发布）。此次停产涵盖所有主要单元类型——SLC、MLC和TLC并几乎涵盖所有交付形式，包括裸晶圆和封装解决方案，例如BGA、TSOP、eMMC、UFS和SD卡。这表明铠侠将全面淘汰旧技术平台，而非仅淘汰部分SKU。

此次产品停产遵循标准的多年期EOL（产品生命周期结束）计划：最后购买订单将持续接受至2026年9月30日，最终出货将持续至2028年12月31日，距今约三年。此后，这些产品将彻底停产，这也标志着铠侠将退出传统的平面NAND和早期BiCS工艺，转而投身更先进的3D NAND工艺。

与此同时，铠侠停止生产2D NAND也将标志着平面NAND存储器的终结，这种类型的存储器最早于1987年左右在东芝投入生产，并将于41年后，也就是2028年，由其继任者铠侠停止生产。

如今，2D NAND主要用于传统设备，包括汽车、消费电子、嵌入式和工业应用，以及一些具有较长生命周期的专用存储设备。

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