国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法和半导体器件”的专利，公开号CN121772308A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，属于半导体制造技术领域。方法包括：制备第一中间体，第一中间体包括第一衬底，以及自第一衬底的一面依次层叠的第一介质层、第一功能层、第二介质层和第二衬底；剥离去除富离子层及位于富离子层第一侧的部分第二衬底，形成有源硅层；在有源硅层背离第一衬底的表面制备依次层叠的第三介质层、第一栅极和第一导电结构；将第一导电结构和第三衬底键合；对第一衬底进行减薄与刻蚀处理，去除第一衬底和第一介质层；对第一功能层进行图形化，形成第二栅极，并制备第二导电结构。该方法工艺兼容性好，可以提高背栅结构和正栅结构的对准精度。

天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，专利信息74条，此外企业还拥有行政许可21个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员