半导体量测检测设备是芯片制造全流程的一个关键支撑设备，承担着缺陷识别、参数校准、良率管控与工艺迭代等使命，是保障先进制程稳定落地、提升芯片可靠性与竞争力的“良率之眼”。
在AI算力需求持续攀升、先进制程不断微缩的产业背景下，高精度量测检测设备已成为半导体产业链自主可控的重要环节，直接决定晶圆厂的生产效率与产品品质。近日，中安半导体举办新品发布会，正式推出其新一代10.5nm灵敏度颗粒缺陷检测设备，以技术突破为国内先进制程发展注入新动能，也标志着中国半导体前道量检测设备向极限领跑迈出关键一步，会上同步公布技术迭代规划与多领域量测布局。
一：中安半导体ZP8发布：领跑国产半导体量测赛道！
发布会上明确了ZP8的核心优势：实现10.5nm探测精度突破，通过“光学+机械+算法”系统级优化，可稳定捕获裸硅片上超微小致命缺陷；实测显示，其裸片层检测匹配率与相关性均超过95%，在HKMG等关键薄膜层中可靠性突出，可满足硅片厂及晶圆厂研发严苛需求。
ZP8可覆盖从衬底制造到先进封装的全产业链，赋能先进制程研发与量产，助力微粒缺陷监控与质量闭环。
中安半导体计划明年推出面向15nm HVM的新一代设备，持续推进技术迭代。此次发布填补了国产品牌在10nm级缺陷检测领域的空白，为中国半导体先进制程良率提升提供可靠支撑。
二：顺应先进制程与3D集成产业趋势
AI浪潮推动半导体技术向先进逻辑芯片、背面供电、高带宽存储器与3D集成等方向快速演进，制程尺寸微缩与3D堆叠带来形貌控制、翘曲管控、键合精度等一系列挑战，对量测检测设备提出了更高要求。中安半导体基于行业趋势，以极限灵敏度检测为核心，同步布局3D集成与硅片厂全流程解决方案。
针对3D集成趋势，无论是DRAM的Pitch收缩，还是NAND Flash堆叠层数的不断攀升，整个行业都在坚定地迈向3D时代。在这一过程中，行业面临着两大挑战：一是堆叠尺寸的不断微缩；二是检测精度的极致化。而在实现3D器件的过程中，有一个关键工艺节点——键合（Bonding）。
演讲嘉宾初新堂表示：“针对键合这一核心工艺，中安半导体也投入了大量的研发资源进行了深入的系统性研究。”
中安半导体的量测机台引入了IPD算法，其核心逻辑在于：通过ZAS WGT量测系统对晶圆全局形变与厚度分布进行高精度采集，并将这些真实工艺数据引入键合环节以及后续光刻环节的Overlay分析模型中，从而实现对键合后以及光刻后Overlay偏差的提前预判。实测数据显示，中安半导体的量测方案的数据相关性远超行业传统方案，可以有效提升3D堆叠工艺的可靠性与良率。
面向硅片制造环节，中安打造专用设备矩阵，覆盖硅线切、研磨、抛光、刻蚀、清洗至出货检全流程，在厚度均匀性、平坦度等关键参数上实现高精度测量，为超平整晶圆生产提供技术支撑，满足先进制程对硅片质量的极致要求。
三：量检测赛道的国产突破
在全球半导体量测赛道，KLA 凭借超 50% 的市占率处于绝对领先，与应用材料、日立等巨头共同占据约 70% 的市场。尽管中国市场规模已超 210 亿元且国产化率正快速跨越 20% 关口，但在先进制程等高端领域，进口依赖度依然极高。
以中安半导体为代表的本土厂商正加速国产替代进程。通过技术攻关，中安在2024 至 2026 年间实现了检测灵敏度的连续飞跃，最新发布的 ZP8 机型灵敏度达 10.5nm，核心指标已比肩国际一线标杆。
在全球半导体产业的演进中，国产量检测设备的崛起已成为自主可控的坚实注脚。中安半导体通过 ZP8 等核心产品的持续进化，将检测精度推向 10.5nm 的国产新高度，为晶圆厂良率管理提供了稳固的本土支撑。国产力量的全面突破，正从根本上重构全球供应体系，捍卫中国芯片产业的长期安全。
—— 芯榜 ——
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