来源：新浪证券-红岸工作室

4月9日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“图像传感器及其制造方法”的专利，授权公告号CN121310679B，授权公告日为2026年4月7日。申请公布号为CN121310679A，申请号为CN202511854097.7，申请公布日期为2026年4月7日，申请日期为2025年12月10日，发明人崔立加、张浩、叶家顺、余义祥，专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司，专利代理师甄丹凤，分类号H10F39/18、H10F39/00。

专利摘要显示，本申请公开了图像传感器及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体层中形成相互连通的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的中部具有较大的开口尺寸；在相互连通的第一沟槽和第二沟槽中形成隔离介质层，至少位于所述第一沟槽的隔离介质层中形成有气隙；以及去除所述半导体层的上部，隔离介质层保留于沟槽中的部分形成隔离结构，隔离介质层被暴露出的部分形成格栅结构。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市。公司注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。它是国内领先的12英寸晶圆代工企业，具备深厚技术积累和规模优势，极具投资价值。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，研发并应用先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，概念板块包含安徽国资、集成电路、基金重仓。

2025年，晶合集成营业收入108.85亿元，行业排名3/4，远低于第一名中芯国际的673.23亿元和第二名华虹公司的172.91亿元，也低于行业平均数240.81亿元和中位数140.88亿元。主营业务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业排名3/4，与第一名中芯国际的72.09亿元和第二名赛微电子的13.88亿元差距明显，低于行业平均数20.64亿元和中位数9.27亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法发明专利公布CN202610295345.72026-03-11CN121815782A2026-04-07张浩、董宗谕、卞亚飞2电性参数预测模型的训练方法、预测方法和相关装置发明专利公布CN202610286061.12026-03-10CN121808745A2026-04-07马姣、邱茹蒙、吴文豪、陈健、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒、王仲盛3晶圆键合对准补偿方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202610275407.82026-03-09CN121793825A2026-04-03伍德超、陈建松4一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法发明专利公布CN202610274800.52026-03-09CN121785058A2026-04-03赵志豪、李海峰、沈俊明5图像传感器及其形成方法发明专利公布CN202610268737.42026-03-06CN121793475A2026-04-03王志伟、都智、马忠祥、谢荣源6半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法发明专利公布CN202610267257.62026-03-06CN121793655A2026-04-03王文智7半导体器件版图设计装置以及半导体器件版图设计方法发明专利公布CN202610261372.22026-03-05CN121787361A2026-04-03大﨑秀史8一种负偏压温度不稳定测试的测试执行方法发明专利公布CN202610256197.82026-03-04CN121763040A2026-03-31董琳、王仲盛、徐畅、林淯慈、毛辰辰9半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610256764.X2026-03-04CN121793665A2026-04-03刘苏涛、林士闵、聂林辉10半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法发明专利公布CN202610249024.32026-03-03CN121772328A2026-03-31王文智11半导体器件的制造方法和半导体器件发明专利公布CN202610252765.72026-03-03CN121772724A2026-03-31方小婷、陈冠中、吴明刚12一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610250050.82026-03-03CN121772275A2026-03-31宫本正文、石田浩13一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610245463.72026-03-02CN121752050A2026-03-27陈杨、张惠慧、刘然14半导体测试结构及测试方法发明专利公布CN202610243473.72026-03-02CN121741434A2026-03-27桑华煜、程洋、汪华15一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610243328.92026-03-02CN121752034A2026-03-27祝君龙、刘哲儒16一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构发明专利公布CN202610247747.X2026-03-02CN121772620A2026-03-31阮钢、运广涛、苏圣哲17一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610230677.72026-02-27CN121729066A2026-03-24盛云、高志杰、蔡宗佐、高佑琳18半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610226083.92026-02-26CN121728821A2026-03-24刘苏涛、林士闵19半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610227349.12026-02-26CN121752041A2026-03-27查鸿凯、程挚20自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610214878.82026-02-14CN121712261A2026-03-20赵西连、李婷、蒋倩文21一种结型场效应管及其制作方法发明专利公布CN202610209966.92026-02-13CN121712070A2026-03-20刘凯、北口裕久22布线方法、装置、存储介质及芯片发明专利公布CN202610210041.62026-02-13CN121706718A2026-03-20陈星、郭军23掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202610212003.42026-02-13CN121742116A2026-03-27陶思友、巫振伟、汪雪春24表单生成方法、表单生成系统、存储介质及程序产品发明专利公布CN202610203763.92026-02-12CN121680850A2026-03-17杨昆、崔洁、陈云、许紫璇25一种抑制CIS暗电流的方法及CIS发明专利公布CN202610204137.12026-02-12CN121692822A2026-03-17陈铜、冯文辉26MOSFET电流模拟模型的构建、模拟方法及相关装置发明专利公布CN202610195676.32026-02-11CN121683668A2026-03-17姚子凤、柯天麒、张立涛27半导体器件的参数校准方法和制造方法发明专利公布CN202610197892.12026-02-11CN121683692A2026-03-17王磊、邓少鹏、汪文婷、刘波、魏港澳28方块电阻预测模型训练方法及方块电阻预测方法发明专利公布CN202610200279.02026-02-11CN121724086A2026-03-24许可、陈健、邱茹蒙、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒29一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610181967.72026-02-09CN121665627A2026-03-13刘洋、李琦琦30高雷击浪涌耐量的超高压结型场效应管器件及其制作方法发明专利公布CN202610182773.92026-02-09CN121692729A2026-03-17刘凯、北口裕久、王维安、程洋31一种键合结构及其制备方法发明专利公布CN202610180499.12026-02-09CN121693222A2026-03-17崔立加、余义祥、徐华超、王梦晴32MOSFET漏电流模拟模型的构建、模拟方法及设备发明专利公布CN202610170035.22026-02-06CN121659880A2026-03-13张立涛、方昕、张雅琳33半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610164443.72026-02-05CN121665622A2026-03-13刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉34半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610164440.32026-02-05CN121665621A2026-03-13刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉35掩模板、图形形成方法及半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610149919.X2026-02-03CN121634685A2026-03-10桑华煜、汪华、程洋、代海坡36一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610140150.52026-02-02CN121619943A2026-03-06王奎旭、胡薇、沈磊、高志杰、李涛37一种掩模版的版图获取方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610140395.82026-02-02CN121613673A2026-03-06刘秀梅、罗招龙38寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610142878.12026-02-02CN121619876A2026-03-06蔡承佑、丁美平、陆莹莹、宋伟政、石伟39半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610142832.X2026-02-02CN121619891A2026-03-06李亮、高珊、张劲40一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610132362.92026-01-30CN121604535A2026-03-03张振、刘哲儒、林豫立41一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610130109.X2026-01-30CN121604493A2026-03-03朱丁盛、胡琪、秦绪威42集成电路的电阻检查方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610129702.22026-01-30CN121615587A2026-03-06陈星43一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610122489.22026-01-29CN121586286A2026-02-27李飞、董宗谕44半导体测试结构及保护MOS管的选取方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610122111.22026-01-29CN121595927A2026-03-03张立涛、方昕、姚子凤、郑启涛45场板介质层及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610117002.12026-01-28CN121619923A2026-03-06刘申婷、程洋46一种图像传感器及其制作方法发明专利授权CN202610113824.22026-01-28CN121586309B2026-04-07刘琦、张昭、宋明明47一种图像传感器及其制作方法发明专利授权CN202610098801.92026-01-26CN121586305B2026-04-07郇小伟、蔡承佑48一种半导体器件及制造方法发明专利公布CN202610092810.72026-01-23CN121559810A2026-02-24葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、吴昊49一种半导体器件及制造方法发明专利公布CN202610092816.42026-01-23CN121559811A2026-02-24葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、吴昊50环绕式栅极晶体管及其制备方法发明专利公布CN202610091098.92026-01-23CN121568400A2026-02-24刘洋、马梦辉、李琦琦、李婷、祝君龙

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