国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121865858A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，并于衬底上形成金属层；于金属层上依次形成绝缘层及光刻胶层；去除部分光刻胶层，以暴露出绝缘层的部分顶面；基于预设改性元素，采用预设改性工艺处理绝缘层，以于绝缘层内形成改性层；去除光刻胶层，并于绝缘层上形成介电层。上述半导体结构的制备方法通过于绝缘层上形成光刻胶层并去除部分光刻胶层，暴露出绝缘层的部分顶面，基于预设改性元素，采用预设改性工艺处理绝缘层，以于绝缘层内形成改性层，实现对绝缘层的改性处理，如此，能够显著提升绝缘层内改性层的刻蚀效率，从而有效避免绝缘层的局部过刻蚀现象，以保证后续金属层接触良好，从而提升产品良率。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1977次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1363条，此外企业还拥有行政许可201个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员