国家知识产权局信息显示，英诺赛科（深圳）半导体有限公司取得一项名为“一种半导体器件”的专利，授权公告号CN224124493U，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；沟道层，位于缓冲层远离衬底的一侧；复合势垒层，复合势垒层包括第一势垒层和第二势垒层，第一势垒层位于沟道层远离缓冲层的一侧，第二势垒层位于第一势垒层远离沟道层的一侧；第二势垒层的带隙大于第一势垒层的带隙；介质层，位于复合势垒层远离沟道层的一侧；栅极，位于介质层远离复合势垒层的一侧；源极，位于复合势垒层远离沟道层的一侧；漏极，位于复合势垒层远离沟道层的一侧。上述技术方案提升了耗尽型氮化镓半导体器件的动态特性。

天眼查资料显示，英诺赛科（深圳）半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（深圳）半导体有限公司专利信息21条，此外企业还拥有行政许可6个。

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作者：情报员