国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“像素单元及其制备方法、光学传感器及光学探测器”的专利，公开号CN121865715A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请提供了一种像素单元及其制备方法、光学传感器及光学探测器，涉及半导体技术领域。像素单元包括：衬底；位于衬底上且与衬底相接触的隔离结构和光电转换区；隔离结构环绕在所述光电转换区的外周，用于将光电转换区产生的载流子限制在像素单元内部；以及电极接触结构位于隔离结构的隔离范围内，且与光电转换区背离衬底的一侧相接触，用于收集光电转换区产生的载流子并导出电信号。本申请实施例用于提供一种能够降低入射光线穿透当前像素单元的边界，逃逸到像素外部或邻近像素单元的光敏区的技术方案。

天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息284条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员