国家知识产权局信息显示,浙江丽隽功率半导体有限公司申请一项名为“一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法”的专利,公开号CN121865668A,申请日期为2026年3月。

专利摘要显示,本发明涉及半导体器件领域,具体是一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法。该结构设置于有源区外围,包括一个掺杂浓度梯度经过优化的JTE区,以及多个设置于其外围、形状为曲线多边形且占用面积逐级递减的场环。其制备方法关键在于采用多次离子注入来稳定JTE区的掺杂浓度。本发明通过结合优化的JTE和场环设计,协同解决了传统场环终端面积过大和JTE电场分布不均的技术难题,显著减小了终端面积,均匀了电场分布,避免了局部峰值和场板末端电场尖峰,从而大幅增强了终端结构的耐压性、稳定性和可靠性

天眼查资料显示,浙江丽隽功率半导体有限公司,成立于2022年,位于丽水市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江丽隽功率半导体有限公司参与招投标项目1次,专利信息4条。

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作者:情报员