国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“形成半导体结构的方法”的专利，公开号CN121865902A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种形成半导体结构的方法。方法包括以下操作。形成类金刚石碳硬遮罩层在基板上，其中类金刚石碳硬遮罩层的吸光度小于或等于0.5。形成介电抗反射涂层在类金刚石碳硬遮罩层上。形成底部抗反射涂层在介电抗反射涂层上。硬遮罩具有较小的吸光度，因此当使用光寻找位于硬遮罩下方的蚀刻位置时，照射到硬遮罩及反射的光不会被硬遮罩吸收太多。找到正确的蚀刻位置可提高蚀刻的均匀度、避免损坏半导体结构、避免蚀刻图案弯曲，且对于蚀刻具有更高的长宽比来说更有利。

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作者：情报员