喆富创新取得光电单元专利,提升半导体组件性能
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国家知识产权局信息显示,喆富创新科技股份有限公司取得一项名为“光电单元”的专利,授权公告号CN224154570U,申请日期为2025年4月。
专利摘要显示,一种光电单元,包括:基板层;隔离层,设置在基板层上;及半导体组件,设置在隔离层上,并包括:第一掺杂半导体层,设置在隔离层上;及第二掺杂半导体层,设置在第一掺杂半导体层之上,第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层为不同掺杂类型的半导体;其中,第一掺杂半导体层及第二掺杂半导体层由一多晶硅材料、一微晶硅材料或一非晶硅材料构成。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
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